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  • 反激式開關(guān)電源波形介紹,mos管vds波形解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2025-05-21 19:07:16
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    反激式開關(guān)電源波形介紹,mos管vds波形解析
    反激式開關(guān)電源波形分析
    一、反激拓?fù)潆娐坊A(chǔ)
    反激式開關(guān)電源波形
    反激式開關(guān)電源作為一種高效、緊湊的電源轉(zhuǎn)換方案,在電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛。其基本線路包括以下幾個(gè)關(guān)鍵部分:
    DC IN :市電經(jīng)過整流濾波后的直流輸入,為后續(xù)電路提供穩(wěn)定的直流電。
    Drive :控制芯片的驅(qū)動信號,用于控制 Q1 的 ON/OFF 狀態(tài),調(diào)節(jié)電路的工作周期。
    CS :控制芯片對 Q1 電流的采樣端口,用于監(jiān)測和控制開關(guān)管的電流,保障電路安全運(yùn)行。
    AGND :初級側(cè)的地,作為初級電路的參考電位點(diǎn)。
    DC OUT :電源的輸出端,為負(fù)載設(shè)備提供所需的直流電壓。
    GND :次級側(cè)的地,作為次級電路的參考電位點(diǎn)。
    二、DCM 與 CCM 工作模式
    (一)判斷依據(jù)
    反激式電源的工作模式主要分為斷續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)和連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)。準(zhǔn)確判斷工作模式需要綜合考慮初級和次級電流的情況:
    CCM 模式 :當(dāng)初級和次級電流不是同時(shí)為零時(shí),電路處于 CCM 模式。這意味著在開關(guān)管關(guān)斷期間,變壓器中鐵芯中的磁能持續(xù)傳遞到次級,次級整流二極管一直有電流流過,確保負(fù)載獲得連續(xù)的功率供應(yīng)。
    DCM 模式 :如果存在初級和次級電流同時(shí)為零的狀態(tài),則電路處于 DCM 模式。在此模式下,開關(guān)管關(guān)斷后,變壓器存儲的磁能完全釋放,次級整流二極管電流降為零,負(fù)載電流出現(xiàn)間斷。
    BCM 模式 :工作模式介于 DCM 和 CCM 之間時(shí),被稱為不連續(xù) - 連續(xù)混合模式(BCM)。這種模式通常出現(xiàn)在電路參數(shù)接近 DCM 和 CCM 邊界的情況。
    (二)波形區(qū)別
    反激式開關(guān)電源波形
    變壓器初級電流波形 :DCM 模式下呈現(xiàn)三角波形,電流從零線性上升至峰值后迅速下降回零;CCM 模式則表現(xiàn)為梯形波,電流在開關(guān)管導(dǎo)通期間線性上升,關(guān)斷期間逐漸下降,不會回到零。
    次級整流管電流波形 :與初級電流波形類似,DCM 模式為三角波,次級電流在磁能傳遞期間線性上升,之后迅速回落至零;CCM 模式為梯形波,次級電流在開關(guān)管關(guān)斷期間仍保持一段時(shí)間的導(dǎo)通,確保負(fù)載電流的連續(xù)性。
    MOS 管的 Vds 波形 :在 DCM 模式下,MOS 管關(guān)斷后,Vds 會從 Vin + Vf(Vf 是次級反射到原邊的電壓)的平臺值下降,并伴隨阻尼震蕩,這是由于變壓器漏感能量釋放和結(jié)電容諧振所致;而在 CCM 模式下,Vds 在下一個(gè)周期開通前一直維持在 Vin + Vf 的平臺上,沒有明顯的震蕩現(xiàn)象。
    三、MOS 管開通與關(guān)斷瞬間的 Vds 波形分析
    (一)DCM 模式
    反激式開關(guān)電源波形
    關(guān)斷瞬間 :從 MOS 管的波形可以看出,MOS 管關(guān)斷時(shí),其上的尖峰電壓可能遠(yuǎn)超 Vin + Vf。這主要?dú)w因于變壓器初級的漏感 Lk。漏感的電流變化會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,且由于漏感能量無法通過磁芯耦合到次級,導(dǎo)致電壓急劇上升。為避免 MOS 管被尖峰電壓擊穿損壞,通常在初級側(cè)設(shè)計(jì) RCD 吸收緩沖電路,將漏感能量先存儲在電容上,再通過電阻消耗掉。
    次級電流歸零后 :當(dāng)變壓器次級電流降至零時(shí),磁芯能量基本釋放完畢。次級整流管因電流為零而截止,相當(dāng)于次級開路,輸出電壓不再反饋到初級。此時(shí),由于 MOS 管 Vds 電壓高于輸入電壓 Vin,在電壓差作用下,MOS 管的結(jié)電容和初級漏感發(fā)生諧振。諧振電流對 MOS 管結(jié)電容放電,使 Vds 電壓開始下降。經(jīng)過約 1/4 諧振周期后,電壓又開始上升。不過,受 RCD 嵌位電路及其他寄生電阻影響,這個(gè)振蕩屬于阻尼振蕩,幅度會逐漸衰減。
    (二)CCM 模式
    反激式開關(guān)電源波形
    在 CCM 模式下,MOS 管關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓與 DCM 模式原理相似,但由于次級電流的連續(xù)性,關(guān)斷后不會出現(xiàn)后續(xù)的振蕩現(xiàn)象。這是因?yàn)榇渭壵鞴茉陂_關(guān)管關(guān)斷期間仍能持續(xù)導(dǎo)通,為磁芯能量釋放提供通路,使得初級側(cè)電壓能夠平穩(wěn)維持在 Vin + Vf 水平,避免了因能量瞬間釋放導(dǎo)致的振蕩。
    深入理解反激式開關(guān)電源的波形特性及其工作模式,對電源設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化具有重要意義,有助于提升電源的性能和可靠性。
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