子電路模型是電路的模型，在模型中含有電路連接信息和器件模型等。
上面是Nch MOSFET和二極管組合的子電路模型示例，其中包括電路連接、MOSFET的器件模型、二極管的器件模型。“模型內(nèi)部的電路連接”的描述，由實(shí)例名、連接引腳以及模型名組成。在模型中描述了MOSFET M1和二極管D1的連接。
實(shí)際的子電路模型示例
為了便于理解，前面使用了簡(jiǎn)易模型進(jìn)行了說明，下面使用實(shí)際的子電路模型來進(jìn)一步說明。以下是ROHM的Nch MOSFET的子電路模型的電路和電路連接描述。
在前面的示例中，出現(xiàn)了“M1”這個(gè)MOSFET的器件模型。明明有器件模型，卻出現(xiàn)“MOSFET的子電路模型”，為什么呢？
這是因?yàn)槠骷Ｐ突旧鲜抢硐氲哪Ｐ停虼爽F(xiàn)實(shí)的MOSFET特性多使用在MOSFET器件模型基礎(chǔ)上基于寄生分量和溫度特性等創(chuàng)建的子電路模型。
當(dāng)然，連接 電源 IC所需的部件并作為電源工作的電路等的子電路模型也有很多，但在這里作為示例的話會(huì)過于復(fù)雜，因此這里選擇以MOSFET的子電路模型為例進(jìn)行說明。
首先來看從M1到R2的各個(gè)連接的描述和電路圖的節(jié)點(diǎn)編號(hào)。描述的含義應(yīng)該是淺顯易懂的。
這個(gè)子電路模型的基礎(chǔ)—MOSFET M1連接了反饋電容、柵極電阻、體二極管、提供導(dǎo)通電阻Ron溫度特性的電阻，作為SPICE模型，所呈現(xiàn)的特性是接近現(xiàn)實(shí)MOSFET特性的。
下面是該子電路模型的所有描述。繼剛才的連接信息之后是MOSFET、二極管、電阻的器件模型描述，這些組成子電路模型。表格中是各器件模型的參數(shù)。
順便提一下，要想創(chuàng)建出色的SPICE模型（即呈現(xiàn)真實(shí)特性的SPICE模型），如何在子電路模型中嵌入這些特性是需要技術(shù)訣竅和經(jīng)驗(yàn)積累的。這取決于模型提供商，因此也需要通過將仿真結(jié)果與實(shí)際特性進(jìn)行比較等，來確認(rèn)真實(shí)程度。
與子電路模型的各器件模型參數(shù)之間的關(guān)系
圖中是“其1”中使用的MOSFET子電路模型的結(jié)構(gòu)。從圖中可以看出MOSFET的基礎(chǔ)模型、二極管、電阻的參數(shù)設(shè)置會(huì)對(duì)哪些特性產(chǎn)生實(shí)際影響。
下面是各參數(shù)和通過仿真獲得的特性曲線圖。紅色字體表示參數(shù)和影響。希望通過這些信息能夠理解相關(guān)的關(guān)聯(lián)性。
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