晶體管當(dāng)作開關(guān)使用，已是司空見慣的事情了，今天硬是要找點(diǎn)話題來講講，且聊聊在接GND和接VCC的開關(guān)電路中，用不同類型的晶體管究竟會(huì)產(chǎn)生什么樣不同的影響？
一、圖例說明
二、原理分析
圖3－4，人個(gè)覺得兩種控制電路都可用，只是左邊電路設(shè)計(jì)會(huì)存在一些問題，故曰不夠周到設(shè)計(jì)；但在圖3－5中，左邊電路亦說成不夠周到的設(shè)計(jì)，感覺有些欠妥當(dāng)，以下給出原因分析：
對于圖3－4的解釋，如下所示：
至于說圖3－5左邊電路為不夠周到設(shè)計(jì)，我認(rèn)為有些欠妥，原因是因?yàn)樗静荒苷９ぷ鳎魅缦聢D假設(shè)：
假設(shè)上述電路能正常工作，則在上電瞬間：
1）Vin通過B極電阻和負(fù)載電阻對Cbe電容進(jìn)行充電；
2）當(dāng)Ube充電到約為0．7V時(shí)，三極管導(dǎo)通；
3）三極管完全導(dǎo)通后，Ue＝12V，而Ub＜12V，故三極管又截止；
4）然后又重復(fù)上述過程。
由此可見，說上述電路不能正常工作，亦是有理有據(jù)的。
但！在分析的過程中，自己又發(fā)現(xiàn)“不可用的結(jié)論”也有些欠妥了！其實(shí)上述描述過程成立的前提條件是Vin
三、結(jié)論
1、當(dāng)晶體管接地作開關(guān)時(shí)，一般用NPN或N MOS管；
2、當(dāng)晶體管接VCC作開關(guān)時(shí)，一般用PNP或P MOS管。
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