導語
首先，建議大家看之前先看下面這一篇，以了解二極管的開關(guān)過程，這有助于后面的理解。
二極管的開關(guān)過程及其可能引發(fā)的EMI問題
正題：很多時候，我們會認為二極管的導通損耗（即其正向壓降乘以正向電流）就是它的總損耗。但是二極管的開關(guān)過程中，由于電流電壓波形有交叉，它們的乘積不為零，所以存在著開關(guān)損耗。同時由于二極管有反向漏電流的存在，所以還有一個截止損耗。
綜上，二極管的損耗類型包含了導通損耗、截止損耗、開通損耗、關(guān)斷損耗。這與MOSFET的損耗類似（但MOSFET比二極管復雜），今天就介紹這些損耗如何計算。
必要的名稱解釋
VF/VR：正向壓降/反向電壓
IF/IR：正向電流/反向漏電流
tfr：正向恢復時間
Vfp/Ifp：正向峰值電壓/正向峰值電流
Vrp/Irp：反向峰值電壓/反向峰值電流
Qrr：反向恢復電荷
損耗分析
由于二極管常用于整流，所以我們這里假設(shè)二極管通過的是一個方波信號，周期為T、頻率為f、導通時間為ton、占空比為D。
再回顧下二極管的開關(guān)過程如下圖-1所示：
圖-1：二極管的開關(guān)過程示意圖
如上圖-1所示，可以容易地列出二極管的四大平均功率損耗：
導通損耗：
截止損耗：
開通損耗：
關(guān)斷損耗：
注意：從圖-1可以看到二極管在反向恢復時間trr內(nèi)的td時段，壓降很小，所以在這段時間產(chǎn)生的損耗可以忽略不計，關(guān)斷損耗的積分區(qū)間直接從t1到t2。
最后說一下，我們常認為二極管的導通損耗近似于它的總損耗是有道理的，因為導通損耗一般來說占的比重比較大，所以我們有時會喜歡使用那些正向壓降低的二極管，比如肖特基二極管。
“在高溫環(huán)境下，二極管的反向恢復時間會變長，反向漏電流也會變大。對此敏感的電路需要注意。
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